| 摘要 |
Изобретение относится к технологии полупроводниковой микро- и наноэлектроники, а именно к золь-гель технологии получения сегнетоэлектрических тонких оксидных пленок на интегральных микросхемах, применяемых, в частности, в устройствах энергонезависимой памяти типа FRAM. Технический результат заключается в увеличении остаточной поляризации до Р=8 мкКл/сми расширении диапазона концентраций элементов, при которых формируется необходимая кристаллическая структура сегнетоэлектрической пленки. Готовят исходные растворы хлоридов стронция, висмута, тантала и ниобия, каждый раствор подвергают ультразвуковой обработке в течение 20-40 мин, выдерживают в течение суток при комнатной температуре, смешивают исходные растворы при перемешивании в один стронций-висмут-тантал-ниобиевый пленкообразующий раствор, подогревают раствор до 40-45°С в течение 30-40 мин, добавляют в раствор стабилизатор в количестве 2-3 мас.%, выдерживают пленкообразующий раствор в течение суток при комнатной температуре, наносят раствор на подложку, сушат подложку с нанесенным пленкообразующим раствором при температуре 50-450°С и отжигают пленку в присутствии кислорода при температуре 700-800°С в течение 1-2 ч. |
