发明名称 |
DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE |
摘要 |
본 발명은, 우수한 반사 표시가 가능한 신규 표시 장치를 제공한다. 상기 표시 장치는 게이트 전극층, 게이트 전극층 위의 게이트 절연층, 게이트 절연층 위의 반도체층, 및 게이트 절연층 및 반도체층 위의 소스 전극층 및 드레인 전극층을 포함하는 트랜지스터; 소스 전극층 및 드레인 전극층과 동일 평면상의 반사 전극층; 반사 전극층과 중첩되는 착색층; 착색층과 중첩되는 화소 전극층; 및 소스 전극층 및 드레인 전극층 중 한쪽에 접속된 항산화 도전층을 포함한다. 화소 전극층은 항산화 도전층을 통하여 트랜지스터에 접속된다. |
申请公布号 |
KR20150133766(A) |
申请公布日期 |
2015.11.30 |
申请号 |
KR20157029483 |
申请日期 |
2014.03.18 |
申请人 |
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
NAKADA MASATAKA;MORI HIDENORI;OHTANI HISASHI |
分类号 |
G02F1/1335;G02F1/1343;G02F1/1362;H01L27/12 |
主分类号 |
G02F1/1335 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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