发明名称 Deposición no electrolítica de metal para estructuras a escala micrométrica
摘要 <p>Un método de depositar metal sobre al menos parte de la superficie de una pared en un pasaje en una estructura, teniendo dicho pasaje una superficie en sección transversal menor que 2 x 10-11 m2, comprendiendo el método las etapas de: introducir y retener en dicho pasaje una disolución de chapado no electrolítica que comprende una mezcla de una fuente o compuesto de metal y un agente reductor, teniendo la fuente o compuesto de metal una velocidad de chapado nula o relativamente baja a temperatura ambiente normal; calentar después de ello dicha estructura a una temperatura de al menos 50ºC mientras que la disolución de chapado queda retenida en el pasaje durante un periodo suficiente para provocar que se forme una capa de metal sobre dicha superficie de la pared, y opcionalmente repetir dichas etapas de introducción y calentamiento.</p>
申请公布号 ES2552255(T3) 申请公布日期 2015.11.26
申请号 ES20100706342T 申请日期 2010.02.25
申请人 BAE SYSTEMS PLC 发明人 DUNLEAVY, MICHAEL;HAQ, SAJAD;HUCKER, MARTYN JOHN
分类号 C23C18/16;B29C70/06;C23C18/44 主分类号 C23C18/16
代理机构 代理人
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