| 摘要 |
<p>Integrierter Stromsensor (10) aufweisend,–einen auf einem Metallträger (20) angeordneten Halbleiterkörper (30), aufweisend eine erste Oberfläche mit einer an der ersten Oberfläche ausgebildeten Passivierungsschicht (40)–einen unter dem Halbleiterkörper (30) flächig ausgebildeten Magnetfeldkonzentrator (70),–einen unter der Passivierungsschicht (40) in dem Halbleiterkörper (30) ausgebildeten ersten Hallsensor (80),–einen unter der Passivierungsschicht (40) in dem Halbleiterkörper (30) ausgebildeten zweiten Hallsensor (90),–wobei ein an der ersten Oberfläche zwischen dem ersten Hallsensor (80) und dem zweiten Hallsensor (90) ausgebildeter erster Leiter (100) vorgesehen ist und der Magnetfeldkonzentrator (70) unterhalb des ersten Hallsensors (80) und unterhalb des zweiten Hallsensors (90) und unterhalb des ersten Leiters (100) ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Metallfläche (50) und die zweite Metallfläche (60) mit einem oberhalb der Passivierungsschicht (40) ausgebildeten ferromagnetischen ersten Draht (110) verbunden sind und der erste Leiter (100) in einen vorgegeben Abstand unter dem ersten Draht (110) durchgeführt ist.</p> |
