Verbesserte Strommessung eines Isolierschicht-Bipolar-Transistors (IGBT) mit Emittermessung

摘要

Offenbart werden ein Steuerungsschaltkreis und ein Verfahren zum Steuern eines Isolierschicht-Bipolartransistors (IGBT) mit Strommessung. Insbesondere erzeugt der Strommess-IGBT Spannungsnadelimpulse in einer Messspannung als ein Ergebnis von normalen Schaltvorgängen. Der Steuerungsschaltkreis erzeugt einen Ausblendzeitraum, so dass die Spannungsnadelimpulse ignoriert werden und Fehlmessungen von Kurzschlussereignissen vermieden werden.