| 摘要 |
<p>本発明は、第１の種類の半導体基板（１）と、基板とＰＮ接合を形成する第２の種類のドープ領域によって画定された光起電変換領域（２）を備えており、光起電モードで動作し、光への曝露の最中にＰＮ接合によって収集される光電電荷担体を再放射する少なくとも１つの第１のフォトダイオードと、積分モードで動作し、逆バイアスされ、基板とＰＮ接合を形成する第２の種類のドープ領域によって画定された電荷蓄積領域（３）を備えており、前記電荷蓄積領域が、光起電変換領域（２）からの電荷担体へと曝露され、そのような電荷担体を蓄積させる少なくとも１つの第２のフォトダイオードとを備えるＣＭＯＳ能動ピクセルの構造に関する。</p> |
