| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及集成电路制造，而更具体地涉及的是带有金属合金的半导体器件。用于器件的示例性结构包括第一硅衬底；第二硅衬底；以及连接第一硅衬底和第二硅衬底中的每个的触点，其中，该触点包括与第一硅衬底邻近的Ge层、与第二硅衬底邻近的Cu层以及处在Ge层和Cu层之间的金属合金。 | ||
| 申请公布号 | CN102815658B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201110391090.8 | 申请日期 | 2011.11.25 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 邱义勋;简廷颖;苏钦豪;倪其聪 |
| 分类号 | B81B7/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一硅衬底；第二硅衬底；以及触点，连接所述第一硅衬底和第二硅衬底中的每个，其中，所述触点包括与所述第一硅衬底邻近的Ge层、与所述第二硅衬底邻近的Cu层以及处在所述Ge层和Cu层之间的金属合金，其中，所述金属合金通过所述Ge层上的Al层和所述Cu层的合金化形成。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||