发明名称 |
半导体装置及其驱动方法 |
摘要 |
公开了包括能以高分辨率成像的光电传感器的半导体装置。该半导体装置包括具有光电二极管、第一晶体管、和第二晶体管的光电传感器。光电二极管根据光的强度产生电信号。第一晶体管在其栅极中存储电荷并将所存储的电荷转换为输出信号。该第二晶体管将该光电二极管产生的电信号传递至第一晶体管的栅极并保持存储在第一晶体管的栅极中的电荷。该第一晶体管具有背栅极且通过改变该背栅极的电位来改变该第一晶体管的阈值电压。 |
申请公布号 |
CN102754209B |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201180009189.5 |
申请日期 |
2011.01.12 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
黑川义元 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H04N5/353(2006.01)I;H04N5/355(2006.01)I;H04N5/374(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
张欣 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:光电二极管;第一晶体管,其具有包括栅极、栅绝缘层、半导体层、绝缘膜、和背栅极的层叠结构;和第二晶体管,其包括栅极、第一端子以及第二端子;其中所述光电二极管电连接至所述第二晶体管的所述第一端子,其中所述第二晶体管的所述第二端子电连接至所述第一晶体管的所述栅极,且其中所述第二晶体管包括包含氧化物半导体的沟道形成区。 |
地址 |
日本神奈川县 |