发明名称 一种高磁导率低损耗软磁铁氧体材料及制备方法
摘要 本发明公开了一种高磁导率低损耗软磁铁氧体材料,其原料按重量份包括主成分100份,辅成分0.5-1份,助剂1-5份;主成分的原料按摩尔份包括:Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub> 20-30,NiO 15-18,ZnO 10-13,CuO 2-4分,V<sub>2</sub>O<sub>5</sub> 6-8,WO3 1-2;辅成分的原料按重量份包括:Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 1-2,SiO<sub>2</sub> 0.5-1.5,Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub> 1-3,Ti<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 1-4,PtO<sub>2</sub> 2-5,硼化铬1-2;助剂的原料按重量份包括:改性聚乙烯醇100,聚乙烯醇5-10,硫酸钡1-4,硬脂酸镁1-2,硬酯酸锌1-5。本发明还公开了一种高磁导率低损耗软磁铁氧体材料的制备方法。本发明高频,高磁导率,高电阻率,低损耗,制备工艺简单。
申请公布号 CN105084882A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201510447246.8 申请日期 2015.07.24
申请人 天长市中德电子有限公司 发明人 陈维兆;王步猛;朱云芳;陈申;吉燕芹
分类号 C04B35/26(2006.01)I 主分类号 C04B35/26(2006.01)I
代理机构 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 代理人 程笃庆;黄乐瑜
主权项 一种高磁导率低损耗软磁铁氧体材料,其特征在于,其原料按重量份包括主成分100份,辅成分0.5‑1份,助剂1‑5份;主成分的原料按摩尔份包括:Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub> 20‑30份,NiO 15‑18份,ZnO 10‑13份,CuO 2‑4分,V<sub>2</sub>O<sub>5</sub> 6‑8份,WO<sub>3</sub> 1‑2份;辅成分的原料按重量份包括:Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 1‑2份,SiO<sub>2</sub> 0.5‑1.5份,Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub> 1‑3份,Ti<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 1‑4份,PtO<sub>2</sub> 2‑5份,硼化铬1‑2份;助剂的原料按重量份包括:改性聚乙烯醇100份,聚乙烯醇5‑10份,硫酸钡1‑4份,硬脂酸镁1‑2份,硬酯酸锌1‑5份。
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