| 发明名称 | 切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法，所述切割带一体型半导体背面用薄膜能够抑制在切割带的粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜中含有的着色剂向切割带移动。一种切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，具备：具有基材和在基材上形成的粘合剂层的切割带、以及在切割带的粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，倒装芯片型半导体背面用薄膜含有着色剂，着色剂在23℃下对甲苯的溶解度为2g/100ml以下。 | ||
| 申请公布号 | CN105086863A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510242879.5 | 申请日期 | 2015.05.13 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 高本尚英;花园博行;福井章洋 |
| 分类号 | C09J7/02(2006.01)I;C09J163/00(2006.01)I;C09J133/08(2006.01)I;C09J11/04(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | C09J7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，具备：具有基材和在所述基材上形成的粘合剂层的切割带、以及在所述切割带的所述粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，所述倒装芯片型半导体背面用薄膜含有着色剂，所述着色剂在23℃下对甲苯的溶解度为2g/100ml以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||