增强型背侧照明的近红外图像传感器

摘要

本申请案涉及一种增强型背侧照明的近红外图像传感器。图像传感器包含安置于半导体材料中以响应于经引导穿过所述半导体材料的背侧的光而积累图像电荷的光电二极管。散射结构接近于所述半导体材料的前侧安置，使得穿过所述背侧引导到所述半导体材料中的所述光往回散射穿过所述光电二极管。深沟槽隔离结构安置于所述半导体材料中，所述深沟槽隔离结构隔离所述光电二极管且界定光学路径，使得在所述光学路径中往回散射穿过所述光电二极管的所述光由所述DTI全内反射。抗反射涂层安置于所述半导体材料的所述背侧上且使由所述散射结构散射的所述光全内反射以将所述光局限为保持在所述光学路径中直到其被吸收为止。

主权项

一种图像传感器，其包括：光电二极管，其接近于半导体材料的前侧安置以响应于穿过所述半导体材料的背侧且穿过所述光电二极管引导到所述半导体材料中的光而积累图像电荷；散射结构，其接近于所述半导体材料的所述前侧安置，使得穿过所述半导体材料的所述背侧且穿过所述光电二极管引导到所述半导体材料中且在所述半导体的所述前侧处反射的所述光往回散射穿过所述光电二极管；深沟槽隔离DTI结构，其安置于所述半导体材料中以隔离所述半导体材料中的所述光电二极管且界定穿过所述半导体材料到所述光电二极管的光学路径，其中在所述半导体的所述前侧处反射的所述光在所述光学路径中往回散射穿过所述光电二极管且由所述DTI全内反射以保持在所述光学路径内；及抗反射涂层，其安置于所述半导体材料的所述背侧上，其中穿过所述半导体材料的所述背侧引导到所述半导体材料中的所述光经引导穿过所述抗反射涂层，其中在所述半导体的所述前侧处反射且在所述光学路径中往回散射穿过所述光电二极管的所述光由所述抗反射涂层全内反射以保持在所述光学路径内。