发明名称 |
垂直霍尔效应器件 |
摘要 |
本发明的各个实施例涉及垂直霍尔效应器件。垂直霍尔效应器件包括彼此部分去耦合的至少四个霍尔效应区域,并且该至少四个霍尔效应区域中的每一个均具有相对的第一面和第二面。每个霍尔效应区域均在第一面上具有第一接触和第二接触,该第一接触和第二接触在相应的霍尔效应区域处相对于对称平面对称地放置,其中对称平面定向为与在相应的霍尔效应区域的第一接触与第二接触之间的直线垂直。每个霍尔效应区域具有放置在相应的对称平面周围的区域中的至少一个接触区域,其中低欧姆连接装置包括连接霍尔效应区域的接触区域的至少一个低欧姆连接路径。 |
申请公布号 |
CN105098060A |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201510233025.0 |
申请日期 |
2015.05.08 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
U·奥塞勒克纳 |
分类号 |
H01L43/06(2006.01)I;G01R33/07(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华 |
主权项 |
一种垂直霍尔效应器件,包括:至少四个霍尔效应区域,包括彼此至少部分地去耦合的第一霍尔效应区域、第二霍尔效应区域、第三霍尔效应区域和第四霍尔效应区域;其中所述至少四个霍尔效应区域中的每一个均具有第一面和与所述第一面相对的第二面;其中所述至少四个霍尔效应区域中的每一个均在所述第一面上具有第一接触和第二接触,其中所述第一接触和所述第二接触在相应的所述霍尔效应区域处相对于对称平面对称地放置,其中所述对称平面定向为与在相应的所述霍尔效应区域的所述第一接触与所述第二接触之间的直线垂直;其中所述至少四个霍尔效应区域中的每一个均具有至少一个接触区域,所述至少一个接触区域至少放置在相应的所述对称平面周围的区域中,其中低欧姆连接装置包括至少一个低欧姆连接路径,所述低欧姆连接路径连接所述至少四个霍尔效应区域的所述接触区域。 |
地址 |
德国诺伊比贝尔格 |