| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，薄膜晶体管阵列基板包括：形成在基板上的选通线和数据线，选通线和数据线彼此交叉；形成在选通线和数据线之间的栅绝缘膜；形成在选通线和数据线的交叉处的栅电极；有源层，其形成在栅绝缘膜上以与栅电极交叠；蚀刻停止层，其形成在有源层上，以限定有源层的沟道区；以及源电极和漏电极，其形成在有源层上以与所述有源层部分交叠。蚀刻停止层位于源电极和漏电极之间，源电极和漏电极与蚀刻停止层间隔开，所述源电极和所述漏电极包括第一电极层和第二电极层，并且所述第一电极层由干蚀刻材料形成，所述第二电极层由湿蚀刻材料形成。 | ||
| 申请公布号 | CN105097947A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510413425.X | 申请日期 | 2013.12.05 |
| 申请人 | 乐金显示有限公司 | 发明人 | 崔熙东 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 吕俊刚;刘久亮 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：形成在基板上的选通线和数据线，所述选通线和所述数据线彼此交叉；形成在所述选通线和所述数据线之间的栅绝缘膜；形成在所述选通线和所述数据线的交叉处的栅电极；有源层，其形成在所述栅绝缘膜上以与所述栅电极交叠；蚀刻停止层，其形成在所述有源层上，以限定所述有源层的沟道区；以及源电极和漏电极，其形成在所述有源层上以与所述有源层部分地交叠，其中所述蚀刻停止层位于所述源电极和所述漏电极之间，所述源电极和所述漏电极与所述蚀刻停止层间隔开，所述源电极和所述漏电极包括第一电极层和第二电极层，并且所述第一电极层由干蚀刻材料形成，所述第二电极层由湿蚀刻材料形成。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||