电容结构及其制作方法、包含电容结构的半导体存储器

摘要

本发明提供一种电容结构及其制作方法，包含电容结构的半导体存储器，所述电容结构的制作方法至少包括：提供包括外围区域和中心区域的半导体衬底；在外围区域形成外围器件的栅极结构，同时在半导体衬底上形成第一电容结构；在中心区域形成半导体存储器的栅极结构，同时在第一电容结构上形成第二电容结构，第二电容结构部分暴露所述第一电容结构的表面；形成第一电极、第二电极和第三电极，其中，第一电极与半导体衬底连接，第二电极与第一电容结构的表面连接，第三电极与第二电容结构的表面连接；且第一电极和第三电极互相导通，作为第一输出端，所述第二电极为第二输出端。所述电容结构即具有较大的电容量，也具有较大的耐压能力。

主权项

一种电容结构的制作方法，其特征在于，所述电容结构的制作方法至少包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括外围区域和中心区域；在所述外围区域形成外围器件的栅极结构，同时在所述半导体衬底上形成第一电容结构；在所述中心区域形成半导体存储器的栅极结构，同时在所述第一电容结构上形成第二电容结构，所述第二电容结构部分暴露所述第一电容结构的表面；形成第一电极、第二电极和第三电极，其中，所述第一电极与所述半导体衬底连接，所述第二电极与所述第一电容结构的表面连接，所述第三电极与所述第二电容结构的表面连接；且所述第一电极和所述第三电极互相导通，作为所述电容结构的第一输出端，所述第二电极作为所述电容结构的第二输出端。