| 摘要 |
本发明提供了一种磁控溅射设备，包括磁控溅射室，其左、右侧壁设置一个进气口和抽气口；溅射靶、靶材，位于磁控溅射室内下部；磁铁，位于磁控溅射室内溅射靶底部；可移动基板台，位于磁控溅射室内上部，在其与溅射靶的相对面上设置有基片；保护罩，位于磁控溅射室内，放置在靶材和可移动基板台之间；高频电源，位于磁控溅射室外，其正负极分别与基板台和溅射靶连接；通电线圈，垂直放置在基板台和溅射靶之间，用于产生变化的磁场。本发明的实施可以增加了电子与沉积粒子的碰撞机率，达到控制粒子大小和沉积速度的目的，实现纳米级薄膜的磁控溅射沉积。 |
