半导体非易失性存储器装置

摘要

本发明的目的在于，不增加占有面积就抑制隧道绝缘膜的劣化而得到拥有高可靠性的能够电重写的半导体非易失性存储器装置。在漏极区域内的隧道区域，形成固定为与漏极区域相同的电位的与漏极区域相比杂质浓度较低的第2导电型的区域和杂质浓度较低的第1导电型的区域，在杂质浓度低的第2导电型的区域和杂质浓度低的第1导电型的区域的各自的上表面，独立地设有向浮置栅极电极的电子注入用和电子抽出用的隧道绝缘膜。另外，与电子抽出用的隧道绝缘膜相比而增大电子注入用的隧道绝缘膜的面积或使其增厚，使得在数据重写时施加的应力不偏于一方。

主权项

一种能够电重写的半导体非易失性存储器装置，其特征在于，具有：第1导电型的半导体衬底；第2导电型的源极区域和漏极区域，在所述半导体衬底的表面，互相隔开间隔而设置；沟道形成区域，是所述源极区域和所述漏极区域之间的所述半导体衬底的表面；浮置栅极电极，隔着栅极绝缘膜而设在所述源极区域、所述漏极区域以及所述沟道形成区域之上；控制栅极电极，隔着所述浮置栅极电极和控制绝缘膜而设置，与所述浮置栅极电极电容耦合；以及注入区域和抽出区域，设在所述浮置栅极电极和所述漏极区域之间，该注入区域仅为了将电子从所述漏极区域向所述浮置栅极电极注入而使用，该抽出区域仅为了将电子从所述浮置栅极电极向所述漏极区域抽出而使用，所述注入区域和所述抽出区域分别具有不同的隧道绝缘膜，所述注入区域和所述抽出区域通过在所述浮置栅极电极的一部分或所述漏极区域的一部分的任一个具有导电型不同的区域来进行区别。