| 发明名称 | 一种电迁移的检测结构及检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种电迁移的检测结构及检测方法，所述检测结构包括电迁移检测单元和应力电流单元；所述应力电流单元包括环形振荡器、电阻器R<sub>0</sub>以及控制晶体管，其中所述环形振荡器的输出端与所述电阻器R<sub>0</sub>的第一端相连接，所述环形振荡器的输出端还与所述控制晶体管的栅极相连接；所述电阻器R<sub>0</sub>的第二端与所述电迁移检测单元相连接，所述控制晶体管的漏极与所述电阻器R<sub>0</sub>的第二端相连接；其中所述环形振荡器分别连接至第一电源电压Vdd1和第二电源电压Vdd2，所述控制晶体管的源极与所述第一电源电压Vdd1相连接。本发明所述测试结构易于操作和测试，而且几乎不需要额外的硬件以及其他价格昂贵的设备，降低了检测成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105093086A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410167096.0 | 申请日期 | 2014.04.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 冯军宏 |
| 分类号 | G01R31/26(2014.01)I | 主分类号 | G01R31/26(2014.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种电迁移的检测结构，包括电迁移检测单元和应力电流单元；所述应力电流单元包括环形振荡器、电阻器R<sub>0</sub>以及控制晶体管，其中所述环形振荡器的输出端与所述电阻器R<sub>0</sub>的第一端相连接，所述环形振荡器的输出端还与所述控制晶体管的栅极相连接；所述电阻器R<sub>0</sub>的第二端与所述电迁移检测单元相连接，所述控制晶体管的漏极与所述电阻器R<sub>0</sub>的第二端相连接；其中所述环形振荡器分别连接至第一电源电压Vdd1和第二电源电压Vdd2，所述控制晶体管的源极与所述第一电源电压Vdd1相连接。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||