| 发明名称 | 一种半导体器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：提供第一基底，在所述第一基底上形成有元器件和位于所述元器件上方的金属互联结构，所述金属互联结构嵌于第一介电层中；在所述第一介电层上形成有第二介电层，在所述第二介电层中形成有通孔开口，所述通孔开口暴露出所述金属互联结构；提供第二基底，在所述第二基底中形成有锥形硅通孔沟槽；将所述锥形硅通孔沟槽的开口对准所述通孔开口，并将所述第二基底和所述第一基底接合为一体；研磨所述第二基底，以露出所述锥形硅通孔沟槽。本发明所述方法的优点在于：(1)分别形成通孔开口和硅通孔沟槽，以避免了在所述第二基底和所述第二介电层界面处进行沟槽蚀刻的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN105097661A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410218843.9 | 申请日期 | 2014.05.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 倪梁;汪新学 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：提供第一基底，在所述第一基底上形成有元器件和位于所述元器件上方的金属互联结构，所述金属互联结构嵌于第一介电层中；在所述第一介电层上形成有第二介电层，在所述第二介电层中形成有通孔开口，所述通孔开口暴露出所述金属互联结构；提供第二基底，在所述第二基底中形成有锥形硅通孔沟槽；将所述锥形硅通孔沟槽的开口对准所述通孔开口，并将所述第二基底和所述第一基底接合为一体；研磨所述第二基底，以露出所述锥形硅通孔沟槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||