发明名称 |
半导体模块 |
摘要 |
本发明的半导体模块的提高利用销接合的半导体模块的冷却能力。该半导体模块具备:与半导体元件(1)连接的销(4);在上下表面具备第二金属箔(5c)、第一金属箔(5b),并且第一金属箔(5b)和第二金属箔(5c)与销(4)电接合的销布线基板(5);将销(4)与半导体元件(1)接合的焊料(3c);在上下表面具备第三金属箔(2b)、第四金属箔(2c),且使第三金属箔(2b)与半导体元件(1)的下表面接合的覆铜陶瓷基板(2);与第四金属箔(2c)连接的第一冷却器(6),其中,焊料的高度(H)与从半导体元件(1)到第一金属箔(5b)之间的距离(T)之比H/T在0.2以上且0.7以下的范围内。 |
申请公布号 |
CN105103286A |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201480020473.6 |
申请日期 |
2014.09.17 |
申请人 |
富士电机株式会社 |
发明人 |
山田教文 |
分类号 |
H01L23/29(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/29(2006.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
王颖;金玉兰 |
主权项 |
一种半导体模块,其特征在于,具备:半导体元件;销,其与所述半导体元件的一个面电连接以及热连接;销布线基板,其具备销布线用绝缘基板、配置在所述销布线用绝缘基板的下表面的第一金属箔、以及配置在所述销布线用绝缘基板的上表面的第二金属箔,并且,所述第一金属箔和所述第二金属箔与所述销电接合;焊料,其将所述销和所述半导体元件接合;覆铜陶瓷基板,其具备陶瓷绝缘基板、配置在所述陶瓷绝缘基板的上表面的第三金属箔,以及配置在所述陶瓷绝缘基板的下表面的第四金属箔,所述第三金属箔与所述半导体元件的下表面接合;以及第一冷却器,其与所述第四金属箔热连接,其中,所述焊料的高度H与从所述半导体元件到所述销布线用绝缘基板的所述第一金属箔之间的距离T之比H/T在0.2以上且0.7以下的范围内。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |