| 发明名称 | 硅晶片的制造方法及硅晶片 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅晶片的制造方法，所述硅晶片的制造方法包含精研磨工序和清洗完成了所述精研磨工序的晶片的清洗工序，在所述清洗工序中，至少进行借助含有氟化氢的清洗液的清洗，分别控制所述清洗工序中的清洗条件及精研磨工序中的研磨条件，以便刚完成所述清洗工序的晶片正面的氢终结率为87%以上。此外，本发明提供一种硅晶片，所述硅晶片为被精研磨后的硅晶片，所述晶片的正面的雾度为20ppb以下。 | ||
| 申请公布号 | CN105097444A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510171396.0 | 申请日期 | 2015.04.13 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 杉森胜久;小佐佐和明 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张雨;李婷 |
| 主权项 | 一种硅晶片的制造方法，所述硅晶片的制造方法包含精研磨工序和清洗完成了所述精研磨工序的晶片的清洗工序，其特征在于，在所述清洗工序中，至少进行借助含有氟化氢的清洗液的清洗，分别控制所述清洗工序中的清洗条件及所述精研磨工序中的研磨条件，以便刚完成所述清洗工序的晶片正面的氢终结率为87%以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||