| 发明名称 | 一种压阻式压力传感器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种压阻式压力传感器及其制备方法，该压力传感器包括LCP衬底、LCP薄膜层、金属电极、石墨烯薄膜层和石墨烯阵列层；LCP薄膜层固定连接在LCP衬底上，LCP薄膜层中设有阵列式结构的通孔，金属电极连接在LCP薄膜层两端的上方，石墨烯薄膜层连接在LCP薄膜层上，且石墨烯薄膜层填充金属电极之间的空隙和覆盖金属电极；石墨烯阵列层填充在LCP薄膜的通孔中，且石墨烯薄膜层和石墨烯阵列层连接。该压力传感器不仅具有了衬底可弯曲变形的优点，还具有良好的灵敏度，能够广泛使用于生物医学、可穿戴设备等领域。 | ||
| 申请公布号 | CN105092117A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510512767.7 | 申请日期 | 2015.08.19 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 聂萌;章丹;黄庆安 |
| 分类号 | G01L1/18(2006.01)I;G01L9/06(2006.01)I | 主分类号 | G01L1/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人 | 杨晓玲 |
| 主权项 | 一种压阻式压力传感器，其特征在于，该压力传感器包括LCP衬底（1）、LCP薄膜层（2）、金属电极（3）、石墨烯薄膜层（4）和石墨烯阵列层（7）；LCP薄膜层（2）固定连接在LCP衬底（1）上，LCP薄膜层（2）中设有阵列式结构的通孔，金属电极（3）连接在LCP薄膜层（2）两端的上方，石墨烯薄膜层（4）连接在LCP薄膜层（2）上，且石墨烯薄膜层（4）填充金属电极（3）之间的空隙和覆盖金属电极（3）；石墨烯阵列层（7）填充在LCP薄膜（2）的通孔中，且石墨烯薄膜层（4）和石墨烯阵列层（7）连接。 | ||
| 地址 | 211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号 | ||