| 发明名称 | 一种双鳍型半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底，包括半导体层以及位于该半导体层之上的绝缘层；两个半导体鳍片，并行地位于该衬底之上；第一栅极和第二栅极，分别位于所述两个半导体鳍片背离的外侧侧壁的中间区域上；第三栅极，位于所述两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间；源/漏区，位于分别与所述两个半导体鳍片两端相连接的源/漏结构内；源/漏延伸区，分别位于所述第一栅极和第二栅极两侧的半导体鳍片内；栅介质层，位于所述第一栅极、第二栅极、第三栅极与所述两个半导体鳍片之间；接触层，位于所述源/漏延伸区的侧表面上。本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。本发明有效地减小了双鳍型半导体结构源/漏延伸区的接触电阻，提高了性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103050524B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201110306988.0 | 申请日期 | 2011.10.11 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种双鳍型半导体结构，该半导体结构包括：衬底，包括半导体层(100)以及位于该半导体层(100)之上的绝缘层(200)；两个半导体鳍片，并行地位于该衬底之上；第一栅极(501)和第二栅极(502)，分别位于所述两个半导体鳍片背离的外侧侧壁的中间区域上；第三栅极(503)，位于所述两个半导体鳍片相邻的内侧侧壁之间；源/漏区，位于分别与所述两个半导体鳍片两端相连接的源/漏结构内；源/漏延伸区，分别位于所述第一栅极(501)和第二栅极(502)两侧的半导体鳍片内；栅介质层(400)，位于所述第一栅极(501)、第二栅极(502)、第三栅极(503)与所述两个半导体鳍片之间；以及接触层(600)，位于所述源/漏延伸区的侧表面上。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||