发明名称 具有贫迁移的UV-防护的PVB-薄膜
摘要 本发明涉及具有贫迁移的UV-防护的PVB-薄膜。具体地,本发明涉及选自式(1a)、(1b)、(2)或者(3)的化合物的UV-吸收剂在含增塑剂的聚乙烯醇缩醛的薄膜中的用途。<img file="886883dest_path_image001.GIF" wi="383" he="192" /><img file="617073dest_path_image002.GIF" wi="573" he="200" /><img file="459127dest_path_image003.GIF" wi="510" he="211" />
申请公布号 CN105086307A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201510228844.6 申请日期 2015.05.07
申请人 可乐丽欧洲有限责任公司 发明人 P.莱利希;U.凯勒
分类号 C08L29/14(2006.01)I;C08K5/00(2006.01)I;C08K5/103(2006.01)I;C08K5/11(2006.01)I;C08K5/098(2006.01)I;C08K5/3475(2006.01)I;C08K5/3492(2006.01)I 主分类号 C08L29/14(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 周铁;石克虎
主权项 薄膜,含有至少一种聚乙烯醇缩醛、至少一种增塑剂和0.01–1.5重量%的至少一种选自式(1a)、(1b)、(2)或者(3)的化合物的UV‑吸收剂,<img file="172049dest_path_image001.GIF" wi="380" he="198" /><img file="352364dest_path_image002.GIF" wi="540" he="217" /><img file="44376dest_path_image003.GIF" wi="509" he="211" />其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13和R14 = H、卤素原子、烷基‑、羟烷基‑、烷氧基烷基‑和酰氧基烷基残基,其具有1至20个碳原子,各自是未取代或者被醛‑、酮‑或环氧基取代的,并且要求残基R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13和R14的至少之一带有碱金属‑、碱土金属‑或者铵离子作为反荷离子的羧基、磺酸基或者磷酸基团。
地址 德国哈特斯海姆