| 发明名称 | Cu<sub>2</sub>MoS<sub>4</sub>二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种Cu<sub>2</sub>MoS<sub>4</sub>二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件。包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维晶体和承载该饱和吸收体的基体，饱和吸收体是Cu<sub>2</sub>MoS<sub>4</sub>二维层状晶体。本发明发现了新的具有优异饱和吸收特性的材料体系，为开发新型饱和吸收体提供了更大的空间，其器件具有廉价、适合大规模制备、体积小、可组成多种类型的锁模器件的优点，可应用于脉冲光纤激光器等领域。 | ||
| 申请公布号 | CN105098576A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510535751.8 | 申请日期 | 2015.08.27 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 郭强兵;刘小峰;邱建荣 |
| 分类号 | H01S3/067(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I;H01S3/11(2006.01)I | 主分类号 | H01S3/067(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 林超 |
| 主权项 | 一种Cu<sub>2</sub>MoS<sub>4</sub>二维晶体的用途，其特征是：所述Cu<sub>2</sub>MoS<sub>4</sub>二维晶体用于制备饱和吸收体的用途。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||