非易失性存储器及其形成方法

摘要

一种非易失性存储器及其形成方法，所述方法包括：提供具有凹槽的衬底；在所述凹槽内形成多条平行排列的电荷捕获条，多条电荷捕获条至少分为一层，电荷捕获条的两端与凹槽的侧壁接触，最底层的电荷捕获条与所述凹槽的底部之间具有空隙；将每条电荷捕获条刻蚀成多个电荷捕获颗粒且在凹槽内填充介电层，且介电层覆盖顶层的电荷捕获颗粒，其中，将位于同一层的电荷捕获颗粒称为电荷捕获颗粒层；在介电层上形成导电层；图形化所述导电层、介电层和电荷捕获颗粒层，形成呈阵列排列的存储结构，图形化后的导电层作为存储结构的控制栅极，每一存储结构中的每层电荷捕获颗粒层具有多个电荷捕获颗粒。采用本发明的方法能够提高非易失性存储器的性能。

主权项

一种非易失性存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供具有凹槽的衬底；在所述凹槽内形成多条平行排列的电荷捕获条，多条电荷捕获条至少分为一层，所述电荷捕获条的两端与凹槽的侧壁接触，最底层的电荷捕获条与所述凹槽的底部之间具有空隙；将每条电荷捕获条刻蚀成多个电荷捕获颗粒且在凹槽内填充介电层，且所述介电层覆盖顶层的电荷捕获颗粒，其中，将位于同一层的电荷捕获颗粒称为电荷捕获颗粒层；在所述介电层上形成导电层；图形化所述导电层、介电层和电荷捕获颗粒层，形成呈阵列排列的存储结构，图形化后的导电层作为存储结构的控制栅极，每一存储结构中的每层电荷捕获颗粒层具有多个电荷捕获颗粒。