| 发明名称 | 一种深硅刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种深硅刻蚀方法，所述刻蚀方法包括如下步骤：非等向性刻蚀步骤，提供第一反应气体在等离子体作用下对硅材料层进行刻蚀，并刻蚀至一定深度，以露出一刻蚀界面，所述刻蚀界面包括侧壁，所述第一反应气体包括刻蚀气体和侧壁保护气体，所述侧壁保护气体用于补偿所述刻蚀气体对该侧壁在横向方向上的刻蚀作用；侧壁保护步骤，提供第二反应气体，在等离子体作用下，在所述刻蚀界面的侧壁形成侧壁保护层，附着在所述刻蚀界面的侧壁表面，所述第二反应气体包括侧壁保护气体；交替循环所述非等向性刻蚀步骤和侧壁保护步骤，直到刻蚀到达目标深度。本发明刻蚀速率快，并且制得的深硅通孔或者沟槽形貌好，深度深，不会产生侧壁呈现波浪形或者锥形的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN105097440A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410221761.X | 申请日期 | 2014.05.23 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 王红超;刘身健;严利均 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种深硅刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括如下步骤：非等向性刻蚀步骤，提供第一反应气体在等离子体作用下对硅材料层进行刻蚀，并刻蚀至一定深度，以露出一刻蚀界面，所述刻蚀界面包括侧壁，所述第一反应气体包括刻蚀气体和侧壁保护气体，所述侧壁保护气体用于补偿所述刻蚀气体对该侧壁在横向方向上的刻蚀作用；侧壁保护步骤，提供第二反应气体，在等离子体作用下，在所述刻蚀界面的侧壁形成侧壁保护层，附着在所述刻蚀界面的侧壁表面，所述第二反应气体包括侧壁保护气体；交替循环所述非等向性刻蚀步骤和侧壁保护步骤，直到刻蚀到达目标深度。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||