发明名称 压力传感器及其制作方法
摘要 本发明公开一种压力传感器,包括:检测薄膜,设于硅衬底上,用于检测施加在所述检测薄膜表面的压力并产生与压力大小相适应的凸起形变;光发射器和光检测器,设于硅衬底上,位于与所述检测薄膜所在平面平行的平面,并相对地置于所述检测薄膜两侧;压力计算模块,与所述光检测器连接,获取检测到的光强数据,并根据所述光强数据计算压力值。还公开一种压力传感器的制作方法。上述压力传感器采用光学的方法将检测薄膜的形变量转换成光强,并利用光检测器将光强转换成电信号,继而进行计算获得压力,有效避免了压阻式压力传感器本身的温漂和电磁干扰的问题。
申请公布号 CN105092110A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201410188950.1 申请日期 2014.05.06
申请人 无锡华润上华半导体有限公司 发明人 钱栋彪
分类号 G01L1/04(2006.01)I 主分类号 G01L1/04(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 邓云鹏
主权项 一种压力传感器,其特征在于,包括:检测薄膜,设于硅衬底上,用于检测施加在所述检测薄膜表面的压力并产生与压力大小相适应的凸起形变;光发射器和光检测器,设于硅衬底上,位于与所述检测薄膜所在平面平行的平面,并相对地置于所述检测薄膜两侧;压力计算模块,与所述光检测器连接,获取检测到的光强数据,并根据所述光强数据计算压力值。
地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号