发明名称 |
微型针装置的制造方法、微型针装置以及基片复合体 |
摘要 |
本发明涉及微型针装置的制造方法、微型针装置以及基片复合体。本发明提供了用于多孔的微型针装置的制造方法以及相应的多孔的微型针装置和相应的基片复合体。所述方法具有以下步骤:在半导体基片(1)的正面(VS)形成多个分别具有至少一根微型针(4a;4b;4c;4d)和处于其下面的多孔的载体区域(6)的多孔的微型针装置(4);在半导体基片(1)的处于该半导体基片(1)的背面(RS)上的非多孔的剩余层(1a)与载体区域(6)之间形成分离层(3),该分离层(3)具有比载体区域(6)高的孔隙率;通过分离层(3)的拆开将剩余层(1a)从载体区域(6)上分开;并且将微型针装置(4)分割为相应的芯片(C)。 |
申请公布号 |
CN102050421B |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201010545583.8 |
申请日期 |
2010.11.09 |
申请人 |
罗伯特.博世有限公司 |
发明人 |
D·肖尔滕;M·斯图姆贝尔;F·拉尔默;A·法伊 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B81B1/00(2006.01)I;A61M37/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
杨国治;杨楷 |
主权项 |
用于多孔的微型针装置(4)的制造方法,具有以下步骤:‑在半导体基片(1)的正面(VS)形成多个分别具有至少一根微型针(4a;4b;4c;4d)和处于所述微型针(4a;4b;4c;4d)下面的多孔的载体区域(6)的多孔的微型针装置(4);‑在所述半导体基片(1)的处于该半导体基片(1)的背面(RS)上的非多孔的剩余层(1a)与所述载体区域(6)之间形成分离层(3),该分离层(3)具有比所述载体区域(6)高的孔隙率;‑通过所述分离层(3)的拆开来将所述剩余层(1a)从所述载体区域(6)上分开;并且‑将所述微型针装置(4)分割为相应的芯片(C)。 |
地址 |
德国斯图加特 |