具有梯度掺杂分布的半导体器件

摘要

本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成栅极。该方法包括实施第一注入工艺，从而在衬底中形成第一掺杂区域，第一掺杂区域邻近栅极。该方法包括实施第二注入工艺，从而在衬底中形成第二掺杂区域，第二掺杂区域形成得比第一掺杂区域距离栅极更远，第二掺杂区域的掺杂浓度级比第一掺杂区域的掺杂浓度级更高。该方法包括去除第一掺杂区域的部分和第二掺杂区域的部分，从而在衬底中形成凹槽。该方法包括在凹槽中外延生长第三掺杂区域，第三掺杂区域的掺杂浓度级比第二掺杂区域的掺杂浓度级更高。本发明还提供一种具有梯度掺杂分布的半导体器件。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成栅极；实施第一注入工艺，从而在所述衬底中形成第一掺杂区域，所述第一掺杂区域邻近所述栅极；实施第二注入工艺，从而在所述衬底中形成第二掺杂区域，所述第二掺杂区域形成得比所述第一掺杂区域距离所述栅极更远，所述第二掺杂区域的掺杂浓度级高于所述第一掺杂区域的掺杂浓度级，实施所述第二注入工艺的温度在‑60摄氏度至‑100摄氏度的低温范围内；去除所述第一掺杂区域的部分和所述第二掺杂区域的部分，从而在所述衬底中形成凹槽；以及在所述凹槽中外延生长第三掺杂区域，所述第三掺杂区域的掺杂浓度级高于所述第二掺杂区域的掺杂浓度级，其中，进一步包括，在去除之后以及外延生长之前，在所述凹槽的暴露出的表面上形成未掺杂层。