发明名称 微处理器装置、集成电路以及选择基底偏压的方法
摘要 一种微处理器装置、集成电路以及选择基底偏压的方法,该微处理器装置包括:第一电源供应节点、功能区块、第一基底偏压导线、第一充电节点、第一选择电路及基底偏压电路。第一电源供应节点提供第一核心电压。功能区块有多个电力模式,包括多个半导体装置,均具有基底接点及第一基底偏压导线设置于功能区块并耦接至少一半导体装置的基底接点。第一选择电路于低电力模式时耦接第一基底偏压导线至第一充电节点以及于全电力模式时钳制第一基底偏压导线至第一电源供应节点。基底偏压电路于低电力模式时将第一充电节点充电至相对于第一核心电压的第一偏移电压的第一基底偏压。半导体装置提供钳制或耦接其他基底偏压导线。本发明可降低次临界漏电流。
申请公布号 CN105099428A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201510427153.9 申请日期 2009.09.25
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 雷蒙·A.·贝特伦;马克·J.·伯兹;凡妮莎·S.·坎尼克;达鲁斯·D.·嘉斯金斯;詹姆斯·R.·隆柏格;马修·罗素·尼克森
分类号 H03K19/00(2006.01)I 主分类号 H03K19/00(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇
主权项 一种微处理器装置,其特征在于,包括:一第一电源供应节点,提供一第一核心电压;一功能区块,具有多个电力模式,该功能区块包括:多个半导体装置,分别具有一基底接点;以及一第一基底偏压导线,设置于上述功能区块及耦接至少一上述半导体装置的上述基底接点;一第一充电节点;一第一选择电路,包括一第一半导体装置及一第二半导体装置,当上述功能区块于低电力模式时,耦接上述第一基底偏压导线至上述第一充电节点,并于上述功能区块为全电力模式时钳制上述第一基底偏压导线至上述第一电源供应节点;以及一基底偏压电路,当上述功能区块于上述低电力模式时,将上述第一充电节点充电至相对于上述第一核心电压的一第一偏移电压的一第一基底偏压,其中,上述基底偏压电路包括一控制装置及一偏压产生器,当上述功能区块为上述低电力模式时,上述控制装置提供一第一控制信号来控制上述偏压产生器产生并输出上述第一基底偏压以将上述第一充电节点充电,当上述功能区块转换为上述全电力模式时,上述控制装置通过上述第一控制信号来控制上述偏压产生器产生并输出上述第一核心电压以驱动上述第一充电节点至上述第一核心电压,上述控制装置还提供一第二控制信号至上述第一选择电路的一控制输入端,在上述功能区块操作为上述全电力模式时,上述第二控制信号使上述第一半导体装置导通且上述第二半导体装置不导通,在上述功能区块操作为上述低电力模式时,上述第二控制信号使上述第一半导体装置不导通且上述第二半导体装置导通。
地址 中国台湾新北市新店区中正路533号8楼