| 发明名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底，包括半导体层以及位于该半导体层之上的绝缘层；第一半导体鳍片和第二半导体鳍片，并行地位于所述衬底之上；第一源/漏区和第二源/漏区，该第一源/漏区位于与所述第一半导体鳍片的两端相连接的第一源/漏结构中，该第二源/漏区位于与所述第二半导体鳍片的两端相连接第二源/漏结构中；第一栅堆叠和第二栅堆叠，分别位于所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片相背离的外侧侧壁上；其中，在所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片之间存在介电层。本发明形成了两个独立的半导体器件，便于施加不同的源/漏电压进行控制。相应地，本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103035708B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201110297623.6 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种半导体结构，该半导体结构包括：衬底，包括半导体层(100)以及位于该半导体层(100)之上的绝缘层(200)；第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片(320)，并行地位于所述衬底之上；第一源/漏区和第二源/漏区，该第一源/漏区位于与所述第一半导体鳍片(310)的两端相连接的第一源/漏结构(311、312)中，该第二源/漏区位于与所述第二半导体鳍片(320)的两端相连接第二源/漏结构(321、322)中；其中，所述第一源/漏区和第二源/漏区分离；第一栅堆叠和第二栅堆叠，分别位于所述第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片(320)相背离的外侧侧壁上；其中，在所述第一半导体鳍片(310)和第二半导体鳍片(320)之间存在介电层(600)。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||