半导体器件和有隔离源区的反向导电绝缘栅双极晶体管

摘要

本发明涉及半导体器件和有隔离源区的反向导电绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括半导体台面，其具有与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。在与至少一个本体区相对的漂移区的一侧处的基底层包括至少一个本体区的导电类型的第一区、以及漂移区的导电类型的第二区。电极结构在半导体台面的相对侧上。电极结构中的至少一个包括控制了流过至少一个本体区的电荷载流子的栅电极。在源区中的两个源区之间的分离区域中，(i)栅电极与半导体台面之间的电容耦合或者(ii)漂移区的多数电荷载流子的导电率低于分离区域的外侧。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体台面，包括与源区形成了第一pn结并且与漂移区形成了第二pn结的至少一个本体区；基底层，在与所述至少一个本体区相对的所述漂移区的一侧处，并且包括所述至少一个本体区的导电类型的第一区，以及所述漂移区的导电类型的第二区；电极结构，在所述半导体台面的相对侧上，其中所述电极结构中的至少一个包括配置用于控制流过所述至少一个本体区的电荷载流子的栅电极；以及分离区域，分别在所述源区中的两个源区之间，其中在所述分离区域中，(i)在所述栅电极与所述半导体台面之间的电容耦合或者(ii)所述漂移区的多数电荷载流子的导电率低于所述分离区域的外侧。