发明名称 芯片封装结构、制作方法及芯片封装基板
摘要 一种芯片封装结构的制作方法,包括步骤:提供一承载板,在所述承载板至少一侧依次形成第一导电线路层、第一介电层、第二导电线路层,所述第一导电线路层及所述第二导电线路层通过多个第一导电柱相电连接;在所述第二导电线路层远离所述承载板的一侧形成第二介电层,所述第二介电层内形成有多个第二介电层开口,所述第二介电层开口内通过电镀形成有多个第二导电柱,其中,所述第二导电线路层与所述第二导电柱相电连接,所述第二导电柱远离所述第一介电层的表面与所述第二介电层的远离所述第一介电层的表面大致相齐平;去除所述承载板并焊接一芯片,从而形成所述芯片封装结构。本发明还涉及一种芯片封装基板及结构。
申请公布号 CN105097558A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201410159581.3 申请日期 2014.04.21
申请人 富葵精密组件(深圳)有限公司;臻鼎科技股份有限公司 发明人 李嘉伟
分类号 H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I 主分类号 H01L21/48(2006.01)I
代理机构 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人 哈达
主权项 一种芯片封装结构的制作方法,包括步骤:提供一承载板,在所述承载板至少一侧依次形成第一导电线路层、第一介电层、第二导电线路层,其中,所述第一介电层内形成有多个第一介电层开口,多个第一导电柱形成于所述第一介电层开口内,位于所述承载板同侧的所述第一导电线路层及所述第二导电线路层通过多个第一导电柱相电连接;在所述第二导电线路层远离所述承载板的一侧形成第二介电层,所述第二介电层内形成有多个第二介电层开口;电镀在所述第二介电层开口内形成多个第二导电柱,其中,所述第二导电线路层与所述第二导电柱相电连接,所述第二导电柱远离所述第一介电层的表面与所述第二介电层的远离所述第一介电层的表面大致相齐平;去除所述承载板;在每个所述第二导电柱远离所述第一导电线路层的表面形成一第一焊球;及在多个所述第一焊球表面焊接一芯片,使所述芯片与所述第二导电柱电连接,从而形成所述芯片封装结构。
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