| 摘要 |
본 발명은, 입계 확산법을 이용하여 제작된 자기특성이 높은 RFeB계 소결 자석에 있어서, 내식성에 뛰어나면서 에너지 손실이 적은 RFeB계 소결 자석의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. Nd 및 Pr 중 적어도 1종의 경희토류 원소R을 주된 희토류 원소R로서 함유하는 RFeB를 주상으로 하는 결정립으로 이루어진 RFeB계 소결체(11)의 표면에, Dy, Ho 및 Tb 중 적어도 1종의 중희토류 원소R를 함유하는 금속분말과, 분자구조 중에 산소원자를 함유하는 유기물을 혼합한 페이스트(12)을 도포하고, 표면에 상기 페이스트(12)을 접촉시킨 상태로 가열함으로써 입계 확산 처리를 실시한다. 이것에 의해, 표면에 경희토류 원소R의 산화물을 함유하는 보호층(13)이 형성된다. 이 보호층(13)은, 내식성이 뛰어나면서 전기저항율이 높음으로써, 사용시의 과전류 발생을 억제하여 에너지 손실을 적게 하도록 기여한다. |
