| 发明名称 | 金属氧化物超导薄膜的化学气相快速沉积工艺 | ||
| 摘要 | 一种用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)快速沉积金属氧化物超导薄膜的工艺，其特征在于维持反应室压力为66.5～133帕的低压，衬底温度700～850℃，有机源升华温度80～250℃，反应室氧分压为13.3～93帕，用本发明的工艺，超导膜的沉积速率达20μm/h，沉积得到表面光亮、致密，成分均匀，超导临界温度大于90K，77K下零场电流密度大于2×10<SUP>6</SUP>A/cm<SUP>2</SUP>，最大可达8×10<SUP>6</SUP>A/cm<SUP>2</SUP>的YBCD超导薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1078327A | 申请公布日期 | 1993.11.10 |
| 申请号 | CN92108395.5 | 申请日期 | 1992.04.30 |
| 申请人 | 中国科学院上海冶金研究所 | 发明人 | 陶卫;吴自良 |
| 分类号 | H01B12/06;H01L39/24;C23C16/40 | 主分类号 | H01B12/06 |
| 代理机构 | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人 | 季良魁 |
| 主权项 | 1、一种用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)快速沉积金属氧化物超导薄膜的工艺，包括衬底片加热、反应室抽真空、升华有机源，由载气将升华的金属有机源输送到反应室并通入氧气，本发明的特征在于：Ⅰ.发生气相沉积反应的反应室压力为66.5-133帕；Ⅱ.反应室的氧分压为13.3-93帕；Ⅲ.金属有机源的升华温度：Y、Cu源为80-170℃，Ba源为180-250℃；Ⅳ.衬底温度为700-850℃。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁路865号 | ||