发明名称 TARGET FOR LASER PRODUCED PLASMA EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT SOURCE
摘要 EUV(extreme ultraviolet) 광을 발생하는 기술은, 변형된 액적(modified droplet)을 형성하기 위해, 타겟 재료 액적의 형상을 변경하기에 충분한 에너지를 갖는 제1 방사선 펄스를 타겟 재료 액적 쪽으로 지향시키는 단계와, 흡수 재료를 형성하기 위해, 변형된 액적의 특성을 바꾸기에 충분한 에너지를 갖는 제2 방사선 펄스를 변형된 액적 쪽으로 지향시키는 단계로서, 이 특성은 방사선의 흡수에 관련되는, 제2 방사선 펄스를 지향시키는 단계와, 흡수 재료의 적어도 일부분을 극자외(EUV) 광으로 변환하기에 충분한 에너지를 갖는 증폭 광빔을 상기 흡수 재료 쪽으로 지향시키는 단계를 포함한다.
申请公布号 KR20150131084(A) 申请公布日期 2015.11.24
申请号 KR20157027195 申请日期 2014.02.18
申请人 ASML NETHERLANDS B.V. 发明人 RAFAC ROBERT J.;TAO YEZHENG
分类号 H05G2/00;G03F7/20;G21K5/00 主分类号 H05G2/00
代理机构 代理人
主权项
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