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<p>본 발명은 비정질 반도체 TFT의 전기적 특성을 산출하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 전기적 특성 산출 방법은 비정질 반도체 TFT에 빛을 조사하여 C-V의 광 응답 특성을 측정하여 입력받고, 빛을 조사하지 않은 경우와 빛을 조사한 경우의 전기용량 각각을 연산하여 C-V의 함수로 모델링한 후, 측정된 광 응답 특성과 모델링된 함수를 조합하여 상태 밀도를 산출함으로써, 비정질 반도체 TFT의 전기적 특성을 제공한다.</p> |
