发明名称 PLASMA CVD DEVICE AND PLASMA CVD METHOD
摘要 본 발명은 진공 용기와, 진공 용기 내에 플라즈마 CVD 전극 유닛과 기재 유지 기구를 구비하고, 이 플라즈마 CVD 전극 유닛이 애노드와, 이 애노드와 간격을 두고 대항하는 캐소드와, 이 애노드와 캐소드 사이의 플라즈마 생성 공간을 통과하도록 가스를 공급하는 제 1 가스 공급 노즐을 구비하고, 기재 유지 기구가 플라즈마 생성 공간을 통과한 가스가 닿는 위치에 배치되어 있으며, 애노드의 가스 공급 방향의 길이 및 캐소드의 가스 공급 방향의 길이가 모두 애노드와 캐소드간의 거리보다 긴 플라즈마 장치이다. 본 발명에 의해, 가스의 분해 효율을 높여 높은 성막 속도의 실현을 가능하게 하는 플라즈마 CVD 장치가 제공된다.
申请公布号 KR20150130347(A) 申请公布日期 2015.11.23
申请号 KR20157027243 申请日期 2014.03.07
申请人 TORAY INDUSTRIES, INC. 发明人 SAKAMOTO KEITARO;TONAI SHUNPEI;EJIRI HIROE;NOMURA FUMIYASU
分类号 C23C16/509;C23C16/54;H01J37/32;H01J37/34 主分类号 C23C16/509
代理机构 代理人
主权项
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