| 摘要 |
<p>베이스 기판에 단결정 실리콘층을 전재한 후에 레이저를 사용해서 베이스 기판에 인자를 하면, 인자 도트 주변부의 단결정 실리콘층의 막의 벗겨짐이 일어나거나, 단결정 실리콘층 표면에 유리 조각 등이 부착되는 것 등의 과제가 있다. 실리콘 웨이퍼의 접합면에 레이저를 사용해서 인자를 행하고, 그후 CMP(Chemical Mechanical Polishing)에 의해 실리콘 웨이퍼 표면을 연마하여, 인자 도트 주변부의 볼록부를 제거한 후에, 베이스 기판에 부착시킨다. CMP로 연마한 후에도, 화학적 에칭작용에 의해, 인자 도트 오목부는 어느 정도 남아 있으므로, 전재시에 그 부분만 전재되지 않아, 베이스 기판에 정보가 남는다.</p> |
