| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI509664 | 申请公布日期 | 2015.11.21 |
| 申请号 | TW102131486 | 申请日期 | 2013.09.02 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈士弘;赖二琨 |
| 分类号 | H01L21/22;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/22 |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼 | |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：一基板；以及一堆叠结构，垂直形成于该基板上，包括：复数个导电层；及复数个绝缘层，该些导电层与该些绝缘层系交错设置(interlaced)；其中该些导电层之至少其中之一具有一第一掺杂段及一第二掺杂段，该第一掺杂段具有一第一掺杂特性(doping property)，该第二掺杂段具有一第二掺杂特性，该第一掺杂特性和该第二掺杂特性系为不同，该第一掺杂段和该第二掺杂段之邻接面具有一晶面(grain boundary)。 | ||
| 地址 | 新竹县科学工业园区力行路16号 | ||