| 发明名称 | 用于三维装置的镶嵌式导体 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI509746 | 申请公布日期 | 2015.11.21 |
| 申请号 | TW102126950 | 申请日期 | 2013.07.26 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 邱家荣;李冠儒 |
| 分类号 | H01L21/8239;H01L27/105;H01L23/52 | 主分类号 | H01L21/8239 |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼 | |
| 主权项 | 一种在三维电路中形成导体的方法，包括：提供一基板，该基板具有复数个间隔开的主动条(active strips)堆叠；沉积一内衬(lining)于该些间隔开的主动条堆叠之上；沉积一绝缘填充材料于该内衬之上、该些间隔开的主动条堆叠之上与之间；以一第一蚀刻制程形成复数个沟槽于该绝缘填充材料内，该些沟槽交错排列在该些间隔开的主动条堆叠之上；以一第二蚀刻制程移除暴露在该些沟槽内的该内衬，该内衬包括一材料，该材料具有比该绝缘填充材料快约三倍的一蚀刻速率；以及以一导体或一半导体材料填充该些沟槽以形成复数个镶嵌导体结构。 | ||
| 地址 | 新竹县科学工业园区力行路16号 | ||