| 摘要 |
<p>Verfahren zum Festhalten eines Siliciumwafers mit einer {110}-Ebene als Hauptoberfläche, derart, dass eine Waferoberfläche zu einer {110}-Ebene ausgestaltet ist, wobei der Siliciumwafer in Randbereichen des Wafers gehalten wird, mit Ausnahme derjenigen Bereiche, die jeweils durch den Richtungsbereich 20° bis 40°, 140° bis 160°, 200° bis 220° und 320° bis 340° definiert sind, wobei die Richtungsbereiche jeweils in Bezug auf die Richtung im Uhrzeigersinn relativ zu der Bezugsrichtung, die von dem Mittelpunkt des Siliciumwafers zu <100> hin in der Kristallorientierung parallel zu der Waferoberfläche reicht, definiert sind.</p> |
