发明名称 一种单晶硅太阳能电池的生产工艺
摘要 一种单晶硅太阳能电池的生产工艺,步骤如下:在P型单晶硅片上表面淀积含有磷元素的二氧化硅薄膜;对淀积后的硅片进行第一次高温扩散,形成PN结;除去单晶硅片上表面电极区以外的氧化层;在单晶硅片上表面淀积本征非晶硅层;将单晶硅片置于湿氧环境中进行第二次高温扩散,使非电极区掺入的磷元素扩散入非晶硅层,电极区氧化层中的磷元素进一步向电极区扩散,形成电极区的重掺杂,同时非晶硅层及非电极区的硅片表面被氧化;去除单晶硅片表面的二氧化硅;在单晶硅片表面淀积氮化硅抗反射层;制备金属电极。本发明通过非晶硅吸收非电极区的杂质,使非电极区的掺杂浓度降低,致使电极区与非电极区的掺杂浓度差进一步增大,提高了电池性能。
申请公布号 CN103227238B 申请公布日期 2015.11.18
申请号 CN201310110791.9 申请日期 2013.04.01
申请人 林卓威 发明人 林卓威;廖伟城
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 代理人 石敏
主权项 一种单晶硅太阳能电池的生产工艺,包括如下步骤:步骤1、在P型单晶硅片上表面淀积二氧化硅薄膜,所述二氧化硅薄膜内含有浓度为1e18.5/cm<sup>3</sup>的磷元素;步骤2、对淀积后的硅片进行第一次高温扩散,使二氧化硅薄膜中的磷元素扩散入P型单晶硅片,形成PN结;步骤3、除去单晶硅片上表面电极区以外的氧化层;步骤4、在单晶硅片上表面淀积本征非晶硅层;步骤5、将单晶硅片置于湿氧环境中进行第二次高温扩散,使非电极区掺入的磷元素扩散入非晶硅层,电极区氧化层中的磷元素进一步向电极区扩散,形成电极区的重掺杂,同时非晶硅层及非电极区的硅片表面被氧化;步骤6、去除单晶硅片表面的二氧化硅;步骤7、在单晶硅片表面淀积氮化硅抗反射层;步骤8、制备金属电极。
地址 362699 福建省永春县桃城镇环城路40号