发明名称 一种基于掺杂型NiO空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
摘要 本发明公开了一种基于掺杂型NiO空穴传输层的反式平面结构钙钛矿太阳能结构及其制备方法。属于新材料太阳能电池领域,现有技术中钙钛矿太阳能电池存在电池稳定性差、光电转换性能差等问题,本发明提供了一种基于掺杂型NiO空穴传输层的反式平面结构钙钛矿太阳能电池,其包括在导电基底上沉积一层掺杂一定浓度的Mg、Li等杂原子的NiO致密层,作为空穴传输层,接着制备一层钙钛矿薄膜(APbX<sub>3</sub>,A=CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub><sup>+</sup>或CH(NH<sub>2</sub>)<sub>2</sub><sup>+</sup>或两者混合物;X=Cl<sup>-</sup>、Br<sup>-</sup>、I<sup>-</sup>或其混合物),随后沉积一层电子传输层PCBM,接着沉积一层界面修饰层(包括LiF、BCP或TiO<sub>X</sub>的一种),最后沉积一层金属电极(Ag或Al)。所述掺杂型NiO致密膜作为空穴传输层,电池性能稳定、高效、迟滞现象小,有利于实现钙钛矿太阳能电池产业化。
申请公布号 CN105070834A 申请公布日期 2015.11.18
申请号 CN201510450181.2 申请日期 2015.07.28
申请人 华中科技大学 发明人 陈炜;张文君;曾宪伟;王欢
分类号 H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I 主分类号 H01L51/42(2006.01)I
代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 梁鹏
主权项 一种反式平面结构钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述太阳能电池从下至上由FTO导电玻璃、NiO致密层、钙钛矿薄膜、电子传输层、界面修饰层和金属电极组成;所述致密层为Li或Mg掺杂NiO层或Li‑Mg共掺杂NiO层;改善了致密层的透过率,提高了致密层的导电性,所述钙钛矿薄膜为APbX<sub>3</sub>,A=CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub><sup>+</sup>或CH(NH<sub>2</sub>)<sub>2</sub><sup>+</sup>或两者混合物;X=Cl<sup>‑</sup>、Br<sup>‑</sup>、I<sup>‑</sup>或其混合物。
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号