| 发明名称 | 层积型半导体装置的层间填充材料用组合物、层积型半导体装置以及层积型半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及层积型半导体装置的层间填充材料用组合物、层积型半导体装置以及层积型半导体装置的制造方法。本发明提供一种能够形成层积型半导体装置用的层间填充材料层的组合物，所述层间填充材料层兼顾高K1c值、高玻璃化转变温度、及低粘度，即使在环境变化时也可维持稳定的接合。本发明的组合物含有在25℃的粘度为50Pa·s以下的环氧化合物(A)、熔点或软化点为80℃以上的胺化合物(B)、以及熔点或软化点小于80℃的胺化合物(C)，设上述胺化合物(B)与上述胺化合物(C)的合计为100重量份时，该胺化合物(C)的比例为1重量份以上且小于40重量份。 | ||
| 申请公布号 | CN105073883A | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201480018168.3 | 申请日期 | 2014.03.28 |
| 申请人 | 三菱化学株式会社 | 发明人 | 杉山雅哉;河濑康弘;池本慎;桐谷秀纪;山崎正典 |
| 分类号 | C08L63/00(2006.01)I;C08K3/00(2006.01)I;C08K5/17(2006.01)I | 主分类号 | C08L63/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 庞东成;张志楠 |
| 主权项 | 一种组合物，其中，该组合物含有在25℃的粘度为50Pa·s以下的环氧化合物(A)、熔点或软化点为80℃以上的胺化合物(B)以及熔点或软化点小于80℃的胺化合物(C)，设上述胺化合物(B)与上述胺化合物(C)的合计为100重量份时，该胺化合物(C)的比例为1重量份以上且小于40重量份。 | ||
| 地址 | 日本东京都千代田区丸之内一丁目１番１号 | ||