一种消除波长双峰的808nm激光器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种消除波长双峰的808nm激光器及其制备方法，包括：在激光器芯片的N面电极制备孔；将处理后的激光器芯片放置在金属板上，所述激光器芯片的含孔一面与所述金属板背离设置；采用808nm波长的激光对所述激光器芯片进行照射；将处理后的激光器芯片进行烘烤，温度范围120-150℃，烘烤1-2小时；对激光器芯片封装测试，完成制备。本发明所述消除波长双峰的808nm激光器，其结构简易，制作过程简单，通过在所述激光器芯片的N面电极上制备孔、后续采用激光照射和烘烤处理，进而减小激光器芯片受内部压应力影响，使激光器波长双峰减少，大大提高了激光器生产合格率。

主权项

一种消除波长双峰的808nm激光器，其特征在于，该激光器包括激光器芯片，在所述激光器芯片的N面电极上设置有延伸至外延衬底层的孔。