包含WISX的半导体装置及其制造方法

摘要

一些实施例包含一种半导体装置，其具有形成于衬底上的包含电介质材料与多晶硅的多个交替叠层的堆叠结构。此半导体装置可进一步包含：至少一个开口，其具有高纵横比且延伸到所述堆叠结构中达邻近所述衬底的水平；第一多晶硅沟道，其形成于所述开口的邻近所述衬底的下部部分中；第二多晶硅沟道，其形成于所述开口的上部部分中；及WSiX材料，其安置于所述开口中介于所述第一多晶硅沟道与所述第二多晶硅沟道之间。所述WSiX材料邻近于所述衬底且可用作蚀刻着陆层及用以接触所述开口中的所述第一多晶硅沟道及所述第二多晶硅沟道两者的导电触点。其它实施例包含制作半导体装置的方法。

主权项

一种半导体装置，其包括：堆叠结构，其在衬底上方，所述堆叠结构包含电介质材料与导电材料的多个交替叠层；开口，其延伸到所述堆叠结构中达邻近所述衬底的水平；第一多晶硅沟道，其在所述开口的邻近所述衬底的下部部分中；及第二多晶硅沟道，其在所述开口的上部部分中；及WSiX材料，其在所述开口中介于所述第一多晶硅沟道与所述第二多晶硅沟道之间且与所述第一多晶硅沟道及所述第二多晶硅沟道接触。