| 发明名称 | 电光转换元件及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电光转换元件及其应用。所述电光转换元件用于将电压信号转换为光信号，包括：由氧化硅构成的氧化硅层；设置在所述氧化硅层上的两个相邻的薄膜带，两个薄膜带之间具有纳米间隙，所述薄膜带的材料的熔点高于所述氧化硅的熔点；其中，所述两个薄膜带和所述纳米间隙是通过向设置在所述氧化硅层上的一连续薄膜带施加击穿电压使得所述连续薄膜带被击穿而形成的；以及分别设置在所述两个薄膜带上的两个电极；其中，在工作时，在所述两个电极上施加预定电压，使得所述电光转换元件发光。本发明电光转换元件加工简单，成本低廉，纳米间隙尺寸可控，器件结构可靠，性能稳定。与半导体工艺兼容，可大规模生产。 | ||
| 申请公布号 | CN103227257B | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201310126470.8 | 申请日期 | 2013.04.12 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 张广宇;何聪丽;时东霞 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/34(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人 | 范晓斌;郭海彬 |
| 主权项 | 一种电光转换元件，用于将电压信号转换为光信号，包括：由氧化硅构成的氧化硅层；设置在所述氧化硅层上的两个相邻的薄膜带，两个薄膜带之间具有纳米间隙，所述薄膜带的材料的熔点高于所述氧化硅的熔点；其中，所述两个薄膜带和所述纳米间隙是通过向设置在所述氧化硅层上的一连续薄膜带施加击穿电压使得所述连续薄膜带被击穿而形成的；以及分别设置在所述两个薄膜带上的两个电极；其中，在工作时，在所述两个电极上施加预定电压，使得所述电光转换元件发光。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街八号 | ||