立体垂直式存储器的制作方法

摘要

本发明公开一种新颖的立体垂直式存储器的制作方法，其步骤包含将由多个绝缘介层与牺牲介层所构成的一多层结构分隔为一第一多层结构与一第二多层结构、将多层结构中的牺牲介层替换为金属介层、以及分别在两多层结构中制作出通道结构。

主权项

一种立体垂直式存储器的制作方法，其步骤包含：提供一基底，该基底具有一牺牲底层；在该牺牲底层上形成由多个绝缘介层与多个牺牲介层所交替层叠而成的一多层结构；将该多层结构分隔为一第一多层结构及一第二多层结构；在该第一多层结构与该第二多层结构周围形成绝缘层包覆住该第一多层结构与该第二多层结构；形成多个通孔分别从该第一多层结构与该第二多层结构的顶面贯穿至底面；经由该些通孔移除该第一多层结构与该第二多层结构中的该些牺牲介层，以空出多个介层空间；经由该些通孔在该些介层空间及该些通孔中形成金属层；移除该些通孔中的金属层；经由该些通孔移除该牺牲底层，以空出一底部空间；以及在该些通孔及该底部空间中形成连通的通道结构。