发明名称 | 在半导体处理腔室中所使用的溅射源 | ||
摘要 | 在某些实施方式中,一种用于处理腔室的溅射源可包括:第一围绕体,所述第一围绕体具有顶部、多个侧部和开放的底部;靶材,所述靶材耦接至所述开放的底部;电馈入器,所述电馈入器耦接至所述第一围绕体的所述顶部、靠近所述第一围绕体的中心轴,以经由所述第一围绕体提供功率至所述靶材;磁体组件,所述磁体组件具有轴、耦接至所述轴的支撑臂和耦接至所述支撑臂的磁体,所述磁体组件设置于所述第一围绕体内;第一旋转致动器,所述第一旋转致动器相对于所述第一围绕体的所述中心轴设置成离轴的并且可旋转地耦接至所述磁体,以使所述磁体绕着所述第一围绕体的所述中心轴旋转;和第二旋转致动器,所述第二旋转致动器相对于所述第一围绕体的所述中心轴设置成离轴的并且可旋转地耦接至所述磁体,以使所述磁体绕着所述磁体组件的中心轴旋转。 | ||
申请公布号 | CN105074873A | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
申请号 | CN201480008495.0 | 申请日期 | 2014.02.26 |
申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 基思·A·米勒;马丁·李·莱克 |
分类号 | H01L21/208(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/208(2006.01)I |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;赵静 |
主权项 | 一种用于处理腔室的溅射源,所述溅射源包括:第一围绕体,所述第一围绕体具有顶部、多个侧部和开放的底部;靶材,所述靶材耦接至所述第一围绕体的所述开放的底部;电馈入器,所述电馈入器耦接至所述第一围绕体的所述顶部、靠近所述第一围绕体的中心轴,以经由所述第一围绕体提供功率至所述靶材;磁体组件,所述磁体组件具有轴、耦接至所述轴的支撑臂和耦接至所述支撑臂的磁体,所述磁体组件设置于所述第一围绕体内;第一旋转致动器,所述第一旋转致动器相对于所述第一围绕体的所述中心轴设置成离轴的并且可旋转地耦接至所述磁体,以使所述磁体绕着所述磁体组件的所述中心轴旋转;和第二旋转致动器,所述第二旋转致动器相对于所述第一围绕体的所述中心轴设置成离轴的并且可旋转地耦接至所述磁体,以使所述磁体绕着所述第一围绕体的中心轴旋转。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |